第三代半导体产业合作大会在盐城召开

　　10月25日，由中国科学院半导体研究所、盐城市政府主办的第三代半导体产业合作大会在盐城高新区举行。活动现场发布了《氮化铝抛光片位错密度的测试腐蚀坑法》等四项标准，这些标准将为技术创新与产业协同注入强劲动能，加速先进半导体技术的规模化应用。

　　第三代半导体产业是盐城市重点培育的成长型未来产业，全市现有富乐华、康佳芯云等一批半导体产业链重点企业，功率半导体基板材料、小间距LED封装等领域全球领先，与中国科学院半导体研究所合作共建盐城半导体集成技术研究院，建成半导体产业技术联合实验室和盐城柔性电子技术应用创新中心等一批高端科创载体。

　　在盐城高新区，第三代半导体产业集群效应已然凸显，目前已集聚复汉芯片封测、汉印碳化硅外延、嘉兆电子等30多家半导体企业，在装备制造、封装测试等领域形成完整产业链，正全力建设华东地区具有重要影响力的第三代半导体产业集群。盐城将充分发挥在新能源、新能源汽车、电子信息等领域的基础优势和丰富的应用场景，加快布局以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体全产业链，持续提升封装测试和功率模块制造水平，为人工智能赋能新型工业化发展提供盐城答卷。

责任编辑：郑容